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      六氟丁二烯

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      产品详情

      基本信息

      产品名称:六氟丁二烯

      缩写:HFBD

      别称:六氟-1,3-丁二烯;全氟丁二烯;六氟-1,3-丁二烯/C4F6;六氟丁二烯,全氟丁二烯;六氟丁二烯

      CAS:685-63-2

      化学式:C4F6

      Einecs:211-681-0

      危险编号:UN  3161

      化学式 :图片1

       

      简述(BRIEF DESCRIPTION

      六氟丁二烯又称全氟丁二烯,最初合成出来是作为聚合物的单体 ,但是其聚合物的性能不佳,没有得到进一步的研究和应用。近年对六氟丁二烯的应用研究则主要集中在它作为电子蚀刻气体上。

      技术指标(TECHNICAL INDICATORS)

      分析项目

      标准

      纯度%

      99.995 min

      Nitrogen (N2)

      20

      Oxygen (O2) + Argon (Ar)

      2.5

      沸点101.3KPa ()

      18.6±35.0 °C 

      熔点()

      -132ºC

      密度(kg/m)

      1.4±0.1 

      闪点()

      -17.2±17.9 °C

       

       

      用途(USE

      全氟丁二烯是一种无色、无味 、无毒的气体,它具有以下性质 :
      1. 化学性质稳定:全氟丁二烯具有极高的热稳定性和化学稳定性,不易与其他物质发生反应。
      2. 低表面张力 :全氟丁二烯的表面张力极低,可在各种材料上形成薄膜 ,使其适用于涂层和防污染应用。
      3. 电机性能优异 :全氟丁二烯作为一种绝缘体 ,可用于电子领域的应用,如电容器、绝缘膜等 。
      4. 熔点低:全氟丁二烯的熔点为-128℃,可用于制备低温的工作液体 。
      全氟丁二烯的主要用途包括:
      1. 涂层材料:由于其低表面张力和化学稳定性,全氟丁二烯广泛用于涂层材料,提供防水 、耐腐蚀和耐化学品的性能。
      2. 电子材料:全氟丁二烯可用于制备光电材料、电容器、润滑油等 。
      3. 药物传递系统:全氟丁二烯可以作为药物的载体,通过控制释放速度来提高药物的吸收效率 。

      贮存条件(STORAGE CONDITIONS

      1. 避免直接接触:全氟丁二烯可能导致皮肤和眼睛的刺激 ,应避免直接接触。
      2. 良好通风:在使用全氟丁二烯时 ,应确保通风良好,避免吸入大量气体 。
      3. 避免燃烧:全氟丁二烯是易燃气体 ,避免与明火或高温接触。
      4. 储存注意 :全氟丁二烯应储存在阴凉 、干燥 、通风良好的地方

      包装(PACKAGE

      1. Packed in cylinder (1ton per cylinder).

      2. Packed in ISOTANK.

       

      化学性质(CHEMICAL PROPERTIES

      六氟-1,3-丁二烯,代号C4F6,是一种新型的含氟绿色电子刻蚀气,具有刻蚀速率快、高深宽比 、高选择性的优点,可以实现近乎垂直的刻蚀加工,为制造小体积、大容量的3D NAND闪存提供了可能;同时六氟丁二烯环境友好,GWP<<1,大气寿命1.1天,是当前兼具优异刻蚀性能和环保性能的含氟电子刻蚀气之一 。

      六氟丁二烯(C4F6)和八氟环戊烯(C5F8)作为新一代蚀刻气体,被认为具有竞争优势,尤其是C4F6 。
          C4F6用作半导体级含氟气体的市场需求在增长。它可取代CF4,用于KrF激光锐利蚀刻半导体电容器图形(Patterns)的干法工艺。C4F60.13um技术层面有诸多蚀刻上的优点。C4F6有比C4F8更高的对光阻和氮化硅选择比 ,这是很重要的两个优点,因为随着器件尺寸推进到0.13um ,孔的CD(关键尺寸)要比0.18um30%左右,键膜层的选择比要高 ,这样才能扩大蚀刻的窗口,提高蚀刻的稳定性。蚀刻速率的提高可以减少蚀刻所用的时间,从而提高生产效率 。蚀刻均匀度和CDbias(关键尺寸偏置)的提高会提高CD和器件稳定可靠性,从而提高产品优良率。
          另外 ,环境方面也是一个非常重要的因素。使用温室效应系数低的环保气体蚀刻设备及工艺技术将受政策导向会迅速地相继开发出来 。C4F6GWP值几乎为0,C4F6取代在氧化膜蚀刻工艺中使用的C4F8C5F8,可降低温室气体的排放 。半导体蚀刻专家提供蚀刻时PFCPerfluorocompound)使用的数据指出 ,用C4F6来取代C4F8在氧化物之蚀刻上有相当的性能且可减少65-82PFC的排放 ,有关专家指出,到目前为止,C4F6可能是能提供所需蚀刻条件及减少排放的替代物 。

      照片1

      图片2

      图片3 

      图片4 

      图片5 


      厂房环境




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